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J-GLOBAL ID：200902286154963165   整理番号：06A0054670

フローティングボディセル(FBC)を使った128Mb,SOI・DRAMの設計

Design of a 128-Mb SOI DRAM Using the Floating Body Cell (FBC)

著者 (13件)： OHSAWA Takashi (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  FUJITA Katsuyuki (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  HATSUDA Kosuke (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  HIGASHI Tomoki (Toshiba Microelectronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  SHINO Tomoaki (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  MINAMI Yoshihiro (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  NAKAJIMA Hiroomi (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  MORIKADO Mutsuo (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  INOH Kazumi (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  HAMAMOTO Takeshi (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  WATANABE Shigeyoshi (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  FUJII Shuso (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  FURUYAMA Tohru (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 41  号： 1  ページ： 135-145  発行年： 2006年01月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来の1トランジスタ-1キャパシタ(1T-1C)DRAMセル...

シソーラス用語： *DRAM ,...
準シソーラス用語： 1T-1C ,...

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分類 (2件)： 集積回路一般  (NC03161C) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： FBC ,  SOI ,  DRAM ,  設計