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J-GLOBAL ID：200902286232501734   整理番号：06A0281482

高速SiGe HBT/BiCMOS用の促進エミッタ拡散プロセスと垂直プロファイルの最適化

Promoting Emitter Diffusion Process and Optimization of Vertical Profiles for High-Speed SiGe HBT/BiCMOS

著者 (7件)： MIURA Makoto (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  SHIMAMOTO Hiromi (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  HAYAMI Reiko (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  KODAMA Akihiro (Renesas Northern Japan Semiconductor, Inc., Hokkaido, JPN) ,  TOMINARI Tatsuya (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  HASHIMOTO Takashi (Renesas Northern Japan Semiconductor, Inc., Hokkaido, JPN) ,  WASHIO Katsuyoshi (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 53  号： 4  ページ： 857-865  発行年： 2006年04月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiGe HBTとBiCMOSは,高速通信システム用LSIと...

シソーラス用語： *HBT【トランジスタ】 ,...
準シソーラス用語： SiGe ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (9件)： SiGe ,  HBT ,  BiCMOS ,  促進 ,  エミッタ ,  拡散プロセス ,  垂直 ,  プロファイル ,  最適化