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J-GLOBAL ID：200902286485530013   整理番号：03A0190268

II-VI族半導体量子ドットの作製と発光デバイスヘの応用

Fabrication of Quantum Dots of II-VI Semiconductors and Application to Light-emitting Devices.

著者 (2件)： 更家淳司 (京都工繊大 工芸) ,  松村信男 (京都工繊大 工芸)
資料名： 真空  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 46  号： 2  ページ： 111-115  発行年： 2003年02月20日 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 0559-8516  CODEN： SHINA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： CdTeといったII-VI半導体量子ドット構造をMBE法で作...

シソーラス用語： *セレン化カドミウム ,...
準シソーラス用語： Volmer-Weber成長

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分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  発光素子  (NC03082G)

引用文献 (10件)：

• XIN, S. H. Appl. Pys. Lett. 1996, 69, 3884
• MATSUMURA, N. Jpn. J. Appl. Phys. 2000, 39, 1104
• TERAI, Y. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 3757
• KURODA, S. J. Crystal Growth. 1998, 184/185, 274
• KOBAYASHI, M. J. Vac. Sci. Tech. 2000, B18, 1684

タイトルに関連する用語 (5件)： II-VI族半導体 ,  量子ドット ,  作製 ,  発光デバイス ,  応用