研究者
J-GLOBAL ID:200901017549738808   更新日: 2022年09月13日

更家 淳司

サライエ ジュンジ | Saraie Junji
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (3件): 電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学 ,  半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (6件): 結晶成長 ,  光デバイス ,  ナノ構造 ,  crystal growth ,  optoelectronic devices ,  nanostructure
競争的資金等の研究課題 (14件):
  • シリコン窒化膜の作製とメモリーデバイスへの応用
  • 光通信用赤外および緑色半導体レーザの研究
  • 化合物半導体の結晶成長
  • GaNAsBiのMBE成長
  • Si上の極薄絶縁膜
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MISC (113件):
書籍 (14件):
  • MBE growth of InN on Si toward hole-barrier structure in Si devices
    IPAP Conf.Series 1, 2000
  • MBE growth of InN on Si toward hole-barrier structure in Si devices
    IPAP Conf.Series 1, 2000
  • Topmost surface analysis of 6H-SiC (0001) by coaxial impact collision ion scattaring spectroscopy
    Inst. Phys. Conf. Ser. 1996
  • Growth of cubic SiC on Si substrate by CVD using Hexa-methyldisilane and hexachlorodisilane
    Inst. Phys. Conf. Ser. 1996
  • Sublimation growth of cubic SiC bulk
    Inst. Physics Conf. Ser. 1996
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学歴 (4件):
  • - 1968 京都大学 工学研究科 電気工学第II学科
  • - 1968 京都大学
  • - 1966 京都大学 工学部 電気工学科
  • - 1966 京都大学
学位 (3件):
  • 工学博士 (京都大学)
  • 工学修士 (京都大学)
  • 工学士 (京都大学)
委員歴 (2件):
  • 1999 - 応用物理学会 理事
  • 1999 - Japan Society of Applied Physics Director
所属学会 (7件):
日本材料学会 ,  応用物理学会 ,  電子情報通信学会 ,  Society of Material Science, Japan ,  Japan Society of Applied Physics ,  Information and Communication Engineers ,  The Institute of Electronics
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