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J-GLOBAL ID：200902286522630694   整理番号：03A0689402

SiCの拡張欠陥:偏光顕微鏡法による描出とシンクロトロン放射白色X線を用いたトポグラフィーによる観察

Extended SiC Defects: Polarized Light Microscopy Delineation and Synchrotron White-Beam X-Ray Topography Ratification

著者 (4件)： MA X (Univ. South Carolina, South Carolina, USA) ,  DUDLEY M (State Univ. New York at Stony Brook, New York, USA) ,  VETTER W (State Univ. New York at Stony Brook, New York, USA) ,  SUDARSHAN T (Univ. South Carolina, South Carolina, USA)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 42  号： 9AB  ページ： L1077-L1079  発行年： 2003年09月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCは高出力,高温および高周波エレクトロニクス素子の材料と...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  光学的測定とその装置一般  (BD07010S)

引用文献 (18件)：

• NEWEY, J. Comp. Semi. 2002, 8, 43
• DUDLEY, M. J. Phys. D. 1995, 28, A63
• HUANG, X. R. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 353
• DUDLEY, M. J. Phys. D. 1995, 28, A56
• NEUDECK, P. IEEE Trans. Electron Devices. 1999, 46, 478

タイトルに関連する用語 (8件)： SiC ,  拡張欠陥 ,  偏光顕微鏡法 ,  描出 ,  シンクロトロン放射 ,  白色X線 ,  トポグラフィー ,  観察