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J-GLOBAL ID：200902286558625140   整理番号：08A0340679

GaAs-GaAsP超格子層を持った透過型光電陰極を用いた高輝度高偏極電子源

High brightness and high polarization electron source using transmission photocathode with GaAs-GaAsP superlattice layers

著者 (17件)： YAMAMOTO Naoto (Graduate School of Sci., Nagoya Univ., Nagoya 464-8602, JPN) ,  NAKANISHI Tsutomu (Graduate School of Sci., Nagoya Univ., Nagoya 464-8602, JPN) ,  MANO Atsushi (Graduate School of Sci., Nagoya Univ., Nagoya 464-8602, JPN) ,  NAKAGAWA Yasuhide (Graduate School of Sci., Nagoya Univ., Nagoya 464-8602, JPN) ,  OKUMI Shoji (Graduate School of Sci., Nagoya Univ., Nagoya 464-8602, JPN) ,  YAMAMOTO Masahiro (Graduate School of Sci., Nagoya Univ., Nagoya 464-8602, JPN) ,  KONOMI Taro (Graduate School of Sci., Nagoya Univ., Nagoya 464-8602, JPN) ,  JIN Xiuguang (Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Nagoya 464-8603, JPN) ,  UJIHARA Toru (Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Nagoya 464-8603, JPN) ,  TAKEDA Yoshikazu (Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Nagoya 464-8603, JPN) ,  OHSHIMA Takashi (Central Res. Lab., Hitachi Ltd., Tokyo 185-8601, JPN) ,  SAKA Takashi (Daido Inst. of Technol., Nagoya 457-8531, JPN) ,  KATO Toshihiro (Daido Steel Co. Ltd., Nagoya 457-8531, JPN) ,  HORINAKA Hiromichi (Fac. of Engineering, Osaka Prefecture Univ., Osaka 599-8531, JPN) ,  YASUE Tsuneo (Fundamental Electronics Res. Inst., Osaka Electro-Communication Univ., Osaka 572-8530, JPN) ,  KOSHIKAWA Takanori (Fundamental Electronics Res. Inst., Osaka Electro-Communication Univ., Osaka 572-8530, JPN) ,  KUWAHARA Makoto (Res. Inst. of Electrical Communication Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 103  号： 6  ページ： 064905  発行年： 2008年03月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高輝度高スピン分極電子ビームを発生させるためにはGaAs偏極電子源の光電陰極に対して点状放出機構が要求される。この目的のためには光電陰極上のレーザスポットサイズを最小にしなければならないが,これは注入レーザ光の方向を光電陰極の前面から裏面に変えるとによって実現できる。この考え方に基づいてGaAs-GaAsP超格子層から成る活性層を含んだ透過型光電陰極を用いて20kVガンを組み立てた。このシステムによってレーザ波長が760~810nmのときに1.3μmのレーザスポット直径を発生させた。偏極電子ビームの輝度は約2.0×10⁷Acm^-2sr^-1で,これは約1.0×10⁷Am^-2sr^-1V^-1の換算輝度に対応している。現在までに77%のピーク偏極を達成した。3μAの取り出し電流のときに1.8×10⁸Ccm^-2の電荷密度寿命を観測した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電子源 ,  *偏極ビーム ,  *ヒ化ガリウム ,  *ガリウム化合物 ,  ヒ化物 ,  リン化物 ,  化合物半導体 ,  超格子 ,  層 ,  *光電陰極 ,  輝度 ,  レーザビーム ,  寿命 ,  電荷分布 ,  密度 ,  電流 ,  スピン分極 ,  量子効率 ,  *ヒ化リン化ガリウム ,  電荷密度
準シソーラス用語： レーザスポット ,  超格子層 ,  電荷密度寿命 ,  *透過型光電陰極 ,  *偏極電子源 ,  放出電流

分類 (1件)： 電子源,イオン源  (BD02020U)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaAs ,  GaAsP ,  超格子 ,  透過 ,  光電陰極 ,  高輝度 ,  偏極 ,  電子源