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J-GLOBAL ID：200902287112177727   整理番号：07A0768429

アクティブマトリクス液晶表示装置のための高移動度トップゲート酸化亜鉛薄膜トランジスタ(ZnO-TFT)

High Mobility Top-Gate Zinc Oxide Thin-Film Transistors (ZnO-TFTs) for Active-Matrix Liquid Crystal Displays

著者 (12件)： HIRAO Takashi (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  HIRAO Takashi (Kochi Industrial Promotion Center) ,  FURUTA Mamoru (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  FURUTA Mamoru (Kochi Industrial Promotion Center) ,  FURUTA Hiroshi (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  FURUTA Hiroshi (Kochi Industrial Promotion Center) ,  MATSUDA Tokiyoshi (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  MATSUDA Tokiyoshi (Kochi Industrial Promotion Center) ,  HIRAMATSU Takahiro (Kochi Industrial Promotion Center) ,  HIRAMATSU Takahiro (Kochi Casio Co., Ltd., Kochi, JPN) ,  HOKARI Hitoshi (Casio Computer Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  YOSHIDA Motohiko (Casio Computer Co., Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display)  (Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display))
巻： 37 Vol.1  ページ： 18-20  発行年： 2006年 
JST資料番号： E0907A  ISSN： 0097-966X  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： アクティブマトリクス液晶表示装置 ,  高移動度 ,  トップゲート ,  酸化亜鉛薄膜 ,  トランジスタ ,  ZnO ,  TFT