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J-GLOBAL ID:200902287253031505   整理番号:07A1233105

N面成長を利用した窒化物を基本とする高電子移動度トランジスターに関する固有抵抗の低いナノ合金Ohm性コンタクト

Low nonalloyed Ohmic contact resistance to nitride high electron mobility transistors using N-face growth
著者 (10件):
資料名:
巻: 91  号: 23  ページ: 232103-232103-3  発行年: 2007年12月03日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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一般的に,Ga面を利用したn+-GaN...
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分類 (2件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体-金属接触  ,  トランジスタ 

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