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J-GLOBAL ID:200902287536376576   整理番号:09A1282950

Si(100)および(111)基板に急速蒸着させたAl薄膜の配向成長

Preferentially Oriented Growth of Al Thin Films Deposited Rapidly on Si (100) and (111) Substrates
著者 (5件):
資料名:
巻: 73  号: 12  ページ: 906-912 (J-STAGE)  発行年: 2009年 
JST資料番号: G0023A  ISSN: 0021-4876  CODEN: NIKGAV  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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基板にSi結晶を用いたときのAlのエピ成長は普通高真空のもとでは実現しないが,超高真空において可能であると考えられてきた。本研究では,Al薄膜のエピ成長に及ぼす急速蒸着の効果を確かめるため,普通高真空中で加熱したSi(100)および(111)基板に対して複数の蒸発源からAlを蒸着させ,堆積した層の結晶性を調べた。593~603Kでは,60nmの厚さに堆積すると島状の{110}粒が成長し,80nm以上の厚さで2重配向を示す{110}連続膜となった。598~613Kでは,Alを100nm以上の厚さに堆積したときに(111)連続膜が成長した。また,下地とエピ層の方位関係を確定した。エピ層の領域は膜厚の増加と共に急速に広がることが観察された。
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