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J-GLOBAL ID：200902287536376576   整理番号：09A1282950

Si(100)および(111)基板に急速蒸着させたAl薄膜の配向成長

Preferentially Oriented Growth of Al Thin Films Deposited Rapidly on Si (100) and (111) Substrates

著者 (5件)： 菅原茂夫 (秋田大学工学資源学部材料工学科) ,  高橋久夫 (秋田大学工学資源学部材料工学科) ,  石垣正利 (秋田大学工学資源学部材料工学科) ,  後藤大輔 (秋田大学工学資源学部材料工学科) ,  小森大輔 (秋田大学工学資源学部材料工学科)
資料名： 日本金属学会誌  (Journal of the Japan Institute of Metals and Materials)
巻： 73  号： 12  ページ： 906-912 (J-STAGE)  発行年： 2009年 
JST資料番号： G0023A  ISSN： 0021-4876  CODEN： NIKGAV  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 基板にSi結晶を用いたときのAlのエピ成長は普通高真空のもとでは実現しないが,超高真空において可能であると考えられてきた。本研究では,Al薄膜のエピ成長に及ぼす急速蒸着の効果を確かめるため,普通高真空中で加熱したSi(100)および(111)基板に対して複数の蒸発源からAlを蒸着させ,堆積した層の結晶性を調べた。593~603Kでは,60nmの厚さに堆積すると島状の{110}粒が成長し,80nm以上の厚さで2重配向を示す{110}連続膜となった。598~613Kでは,Alを100nm以上の厚さに堆積したときに(111)連続膜が成長した。また,下地とエピ層の方位関係を確定した。エピ層の領域は膜厚の増加と共に急速に広がることが観察された。

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  *アルミニウム ,  蒸着膜 ,  *真空蒸着 ,  真空度 ,  ウエハ【IC】 ,  半導体材料 ,  単結晶 ,  基板温度 ,  温度依存性 ,  堆積速度 ,  依存性 ,  *結晶方位 ,  配向 ,  エピタクシー ,  界面 ,  *表面構造 ,  X線回折 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子回折 ,  結晶構造 ,  配列
準シソーラス用語： シリコン基板 ,  膜厚依存性 ,  結晶配向 ,  配向性 ,  エピタキシャル成長 ,  界面組織 ,  原子配列

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

引用文献 (10件)：

• 1) G. Honjo and K. Yagi: Structures and Properties of Thin Films and Micro Crystals, (Maruzen, Tokyo, 1974) pp. 3-93.
• 2) I. Yamada, H. Inokawa and T. Takagi: J. Appl. Phys. 56(1984) 2746-2750.
• 3) I. Yamada, H. Inokawa and T. Takagi: Thin Solid Films 124(1985) 179-184.
• 4) P. B. Barna and M. Adamik: Science and Technology of Thin Films, (World Scientific, Singapore, 1995) pp. 1-28.
• 5) R. Ludeke, L. L. Chang and L. Esaki: Appl. Phys. Lett. 23(1973) 201-203.

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  蒸着 ,  Al ,  薄膜 ,  配向 ,  成長