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J-GLOBAL ID：200902287708594880   整理番号：07A1015346

陽極酸化によりn-GaN上に形成された酸化膜の評価と応用

著者 (6件)： 塩崎奈々子 ,  石川史太郎 (ポール・ドルーデ研) ,  TRAMPERT A. (ポール・ドルーデ研) ,  GRAHN H. T. (ポール・ドルーデ研) ,  佐藤威友 ,  橋詰保
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 68th  号： 3  ページ： 1431  発行年： 2007年09月04日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： *陽極酸化

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 陽極酸化 ,  GaN ,  酸化膜 ,  評価 ,  応用