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J-GLOBAL ID：200902287736295953   整理番号：06A0716226

Cat-CVD・SiNを使ったAlN/GaN絶縁ゲートHFET

AlN/GaN Insulated-Gate HFETs Using Cat-CVD SiN

著者 (3件)： HIGASHIWAKI Masataka (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  MIMURA Takashi (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  MATSUI Toshiaki (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 27  号： 9  ページ： 719-721  発行年： 2006年09月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlN/GaNヘテロ構造FET(HFET)は,AlNの大きな...

シソーラス用語： 窒化アルミニウム ,...
準シソーラス用語： AlN ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (7件)： Cat-CVD ,  SiN ,  AlN ,  GaN ,  絶縁 ,  ゲート ,  HFET