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J-GLOBAL ID:200902287983605078   整理番号:09A0920128

高濃度にドープしたn型SrTiO3バルク材料の熱電特性

Thermoelectric Properties of Heavily Doped n-Type SrTiO3 Bulk Materials
著者 (6件):
資料名:
巻: 38  号:ページ: 1002-1007  発行年: 2009年07月 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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n型半導体酸化物はp型のものと比べて無次元性能指数ZTが小さい。本稿はSrTiO3の熱電(TE)性能最適化を目的とする。Taを高濃度にドープした3種類のチタン酸ストロンチウム(SrTi1-xTaxO3:x=0.05,0.10.0.14)を用意した。これらの多結晶サンプルを粉末X線回折,電子プローブマイクロ解析(EPMA)によって調べ,高温におけるSeebeck係数,電気伝導率,熱伝導率の測定結果を示した。x=0.14の場合Taは均一に分布していないことがわかった。x=0.05と0.10の場合ZTの値は温度上昇と伴に高くなり,SrTi0.90Ta0.10O3のZTは752Kで0.17になった。より高温ではさらに高いZT値が期待できる。
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分類 (1件):
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熱電デバイス 
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