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J-GLOBAL ID：200902288267905458   整理番号：09A1127283

新しいナノエレクトロニクス材料グラフェン

Graphene-Novel Material for Nanoelectronics

著者 (4件)： 佐藤信太郎 (富士通) ,  原田直樹 (富士通) ,  近藤大雄 (富士通) ,  大淵真理 (富士通)
資料名： Fujitsu  (Fujitsu)
巻： 60  号： 5  ページ： 508-513  発行年： 2009年09月10日 
JST資料番号： F0397A  ISSN： 0016-2515  CODEN： FUJTA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： グラフェンは層状物質グラファイト(黒鉛)の1層分のことで,炭素原子の六員環が連なって平面状になった理想的な2次元材料である。1層のグラフェンが発見されたのは最近のことで,同時に非常に優れた電気的・熱的性質を持つことが明らかとなった。そのためグラフェンは,将来のエレクトロニクス材料として注目されている。富士通研究所は第一原理計算と呼ばれる実験に依存するパラメタを用いない手法で,数層までのグラフェンの電界下の電子状態や金属電極との界面の電子状態を解明した。またそれに基づいてトランジスタ特性を予測するとともに,数層のグラフェンが,現在最も高周波応答に優れているInP-HEMTを超える魅力的な高速・高周波トランジスタチャネル材料となり得ることを示した。さらに実験的には,基板上へのグラフェンや,グラフェンとカーボンナノチューブの複合構造の合成に成功した。本稿では,グラフェンの応用を目指した,このような富士通研究所の理論的,実験的取組みについて紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： 電子技術 ,  *ナノ構造 ,  *グラファイト ,  単一層 ,  *電気材料 ,  電子回路 ,  輸送現象 ,  ab initio法 ,  カーボンナノチューブ ,  電子状態 ,  HEMT ,  シミュレーション ,  グラフェン
準シソーラス用語： ナノエレクトロニクス ,  第一原理計算

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

引用文献 (10件)：

• K. S. Novoselov et al.: Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Films. Science, Vol.306, p. 666-669(2004).
• K. S. Novoselov et al.: Two-dimensional gas of massless Dirac fermions in graphene. Nature, Vol.438, p. 197-200(2005).
• Y. Zhang et al.: Experimental observation of the quantum Hall effect and Berry’s phase in graphene. Nature, Vol.438, p. 201-204(2005).
• E. H. Hwang et al.: Carrier Transport in Two-Dimensional Graphene Layers. Phys. Rev. Lett. Vol.98, p. 186806-1-186806-4(2007).
• K. I. Bolotina et al.: Ultrahigh electron mobility in suspended graphene. Solid State Commun. Vol.146, p. 351-355(2008).

タイトルに関連する用語 (2件)： ナノエレクトロニクス ,  グラフェン