多結晶Si電極とHfO<sub>2</sub>/Siゲート絶縁体界面での超高真空中アニールによる化学反応

TAKAHASHI H.; TOYODA S.; OKABAYASHI J.; KUMIGASHIRA H.; OSHIMA M.; SUGITA Y.; LIU G. L.; LIU Z.; USUDA K.

文献

J-GLOBAL ID：200902288363379651 整理番号：05A0696955

多結晶Si電極とHfO₂/Siゲート絶縁体界面での超高真空中アニールによる化学反応

Chemical reaction at the interface between polycrystalline Si electrodes and HfO₂/Si gate dielectrics by annealing in ultrahigh vacuum

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巻： 87 号： 1 ページ： 012903.1-012903.3 発行年： 2005年07月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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