NiOを酸素源として用いる化学蒸気浸透法によるYSZ薄膜の作製

KIKUCHI K; OKAYA T; HIROSE W; MATSUO K; MINESHIGE A; OGUMI Z

文献

J-GLOBAL ID：200902288392864305 整理番号：03A0707957

NiOを酸素源として用いる化学蒸気浸透法によるYSZ薄膜の作製

Fabrication of YSZ Thin Films by Chemical Vapor Infiltration Using NiO as Oxygen Source

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資料名：
巻： 150 号： 10 ページ： C688-C692 発行年： 2003年10月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

酸素供給源としても働くNiO基板上で1000~1200°Cの温...

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酸化物薄膜 , 塩基,金属酸化物

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