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J-GLOBAL ID：200902288781454368   整理番号：08A0819053

シリコンウエハの研削:歴史的展望からのレビュー

Grinding of silicon wafers: A review from historical perspectives

著者 (4件)： PEI Z.j. (Dep. of Industrial and Manufacturing Systems Engineering, Kansas State Univ., Manhattan, KS 66506, USA) ,  FISHER Graham R. (MEMC Electronic Materials, Inc., 501 Pearl Drive, St. Peters, MO 63376, USA) ,  LIU J. (Dep. of Industrial and Manufacturing Systems Engineering, Kansas State Univ., Manhattan, KS 66506, USA) ,  LIU J. (Key Res. Lab. for Stone Machining, Huaqiao Univ., Quanzhou, Fujian 362021, CHN)
資料名： International Journal of Machine Tools & Manufacture  (International Journal of Machine Tools & Manufacture)
巻： 48  号： 12-13  ページ： 1297-1307  発行年： 2008年10月 
JST資料番号： C0568A  ISSN： 0890-6955  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体デバイスの大多数はシリコンウエハ上に作られる。高品質シリコンウエハの製造は研削を含む複数の工程を含んでいる。本レビューは,シリコンウエハの研削に関する歴史的展望,シリコンウエハ製造での研削の応用に及すウエハサイズの進展の影響,研削と2つの他のシリコン加工工程(スライシングと研磨)との間の相互関係を論議した。読者がシリコンウエハの研削に関するより包括的なビューを得て,他の材料(ヒ化ガリウム,ゲルマニウム,ニオブ酸リチウム,サファイア,および炭化けい素など)から作ったウエハ研削の研究と開発に対する機器となることを意図した。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *半導体材料 ,  *精密研削 ,  文献展望 ,  半導体素子 ,  ヒ化ガリウム ,  ゲルマニウム ,  ニオブ酸リチウム ,  サファイア ,  炭化ケイ素
準シソーラス用語： *シリコンウエハ ,  半導体デバイス

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコンウエハ ,  研削 ,  歴史 ,  展望 ,  レビュー