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J-GLOBAL ID：200902288841338222   整理番号：04A0076551

高誘電率ゲート絶縁体を有するポリ(3-ヘキシルチオフェン)電界効果トランジスタ

Poly(3-hexylthiophene) field-effect transistors with high dielectric constant gate insulator

著者 (6件)： WANG G (Univ. California, California) ,  MOSES D (Univ. California, California) ,  HEEGER A J (Univ. California, California) ,  ZHANG H-M (Symmorphix, Inc., California) ,  NARASIMHAN M (Symmorphix, Inc., California) ,  DEMARAY R E (Symmorphix, Inc., California)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 95  号： 1  ページ： 316-322  発行年： 2004年01月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 誘電率が41のTiO₂をゲート絶縁膜に...

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： 3-ヘキシルチオフェン

タイトルに関連する用語 (4件)： 高誘電率 ,  ゲート絶縁体 ,  3-ヘキシルチオフェン ,  電界効果トランジスタ