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J-GLOBAL ID：200902289062830940   整理番号：09A0518010

モノリシック集積化AlGaN/GaN横形電界効果型整流器と常時オフ型HEMTを用いたシングルチップ昇圧変換器

Single-Chip Boost Converter Using Monolithically Integrated AlGaN/GaN Lateral Field-Effect Rectifier and Normally Off HEMT

著者 (4件)： CHEN Wanjun (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  CHEN Wanjun (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  WONG King-Yuen (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  CHEN Kevin J. (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 30  号： 5  ページ： 430-432  発行年： 2009年05月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CF₄プラズマ処理方法を利用することにより,AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)と両立可能横形電界整流器(L-FER)を実現した。この整流器の特長は,低オン抵抗,低ターンオン電圧,高逆破壊電圧(BV)と高スイッチング速度である。作製した15μmドリフト長L-FERは,2.04mΩ・cm²のオン比抵抗,0.58Vのターンオン電圧と470VのBVを示した。また,L-FERは単極性により,ターンオフ過渡に関係した逆回復電流を示さなかった。業界標準GaN-オン-Si技術を用いて,L-FERと常時オフ型HEMTをAlGaN/GaNエピタキシャルウエハ上にモノリシック集積化することにより,1MHzスイッチング周波数のシングルチップ昇圧変換器試作品を初めて実現し,GaN系集積化スイッチモード電力変換器の実用化可能性を実証した。

シソーラス用語： *半導体集積回路 ,  化合物半導体 ,  窒化物 ,  ガリウム化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  電場効果 ,  整流器 ,  HEMT ,  *DC-DCコンバータ ,  直直流変換 ,  *スイッチングレギュレータ ,  イオン注入

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (8件)： モノリシック集積化 ,  AlGaN ,  GaN ,  横形 ,  電界効果 ,  整流器 ,  HEMT ,  昇圧変換器