エピタキシャルダイヤモンド層を用いるソース-ドレインギャップがサブミクロンのp-i-p電界効果トランジスタの作製

文献

J-GLOBAL ID：200902289161548393 整理番号：04A0849158

Fabrication of a submicron source-drain gap for p-i-p field effect transistors using epitaxial diamond layers

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巻： 13 号： 11/12 ページ： 1939-1943 発行年： 2004年11月
JST資料番号： W0498A ISSN： 0925-9635 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

ソース-ドレインギャップがサブミクロンのp-i-pFETをホ...

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トランジスタ

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