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J-GLOBAL ID:200902289166995657   整理番号:04A0094251

SON工程で実現した高性能二重ゲートMOSFET

Highly Performant Double Gate MOSFET realized with SON process
著者 (9件):
資料名:
巻: 2003  ページ: 449-452  発行年: 2003年 
JST資料番号: C0829B  ISSN: 0163-1918  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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二重ゲートは,究極のCMOSノードに代わるものとして期待され...
シソーラス用語:
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準シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
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トランジスタ  ,  金属-絶縁体-半導体構造 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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