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J-GLOBAL ID：200902289166995657   整理番号：04A0094251

SON工程で実現した高性能二重ゲートMOSFET

Highly Performant Double Gate MOSFET realized with SON process

著者 (9件)： HARRISON S (L2MP, Marseille, FRA) ,  CORONEL P (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  LEVERD F (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  CERUTTI R (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  DELILLE D (Philips Semiconductors, Crolles, FRA) ,  BOREL S (CEA, Grenoble, FRA) ,  JULLIAN S (Philips Semiconductors, Crolles, FRA) ,  MUNTEANU D (L2MP, Marseille, FRA) ,  AUTRAN J-L (L2MP, Marseille, FRA)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2003  ページ： 449-452  発行年： 2003年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重ゲートは,究極のCMOSノードに代わるものとして期待され...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： シリコン

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： SON ,  高性能 ,  二重ゲート ,  MOSFET