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J-GLOBAL ID：200902289449825235   整理番号：06A0716224

集積傾きフィールドプレートを持つAlGaN/GaN・HEMTで達成された高破壊電圧

High Breakdown Voltage Achieved on AlGaN/GaN HEMTs With Integrated Slant Field Plates

著者 (6件)： DORA Y. (Univ. California, CA, USA) ,  CHAKRABORTY A. (Univ. California, CA, USA) ,  MCCARTHY L. (Univ. California, CA, USA) ,  KELLER S. (Univ. California, CA, USA) ,  DENBAARS S. P. (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA U. K. (Univ. California, CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 27  号： 9  ページ： 713-715  発行年： 2006年09月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNベーストランジスタは高電力かつ高周波用途にきわめて有望...

シソーラス用語： *HEMT ,...
準シソーラス用語： AlGaN ,...

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  絶縁材料  (NA04030W) ,  その他の電気・電子部品  (NA05090R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 集積 ,  傾き ,  フィールドプレート ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  破壊電圧