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J-GLOBAL ID：200902290279923618   整理番号：07A0602267

Cat-CVD SiNを用いる強化モードAlN/GaN HFET

Enhancement-Mode AlN/GaN HFETs Using Cat-CVD SiN

著者 (4件)： HIGASHIWAKI Masataka (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  MIMURA Takashi (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  MIMURA Takashi (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN) ,  MATSUI Toshiaki (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 54  号： 6  ページ： 1566-1570  発行年： 2007年06月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在,抑圧モード(Dモード)GaNベースのHFETは実応用に...

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,...
準シソーラス用語： AlN ,...

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cat-CVD ,  SiN ,  強化 ,  AlN ,  GaN ,  HFET