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J-GLOBAL ID：200902290303481320   整理番号：03A0590400

すべてのリソグラフィーレベルにおけるナノインプリントを用いる4インチウエハ上の60nmトランジスタの作製

Fabrication of 60-nm transistors on 4-in. wafer using nanoimprint at all lithography levels

著者 (2件)： ZHANG W (Princeton Univ., New Jersey) ,  CHOU S Y (Princeton Univ., New Jersey)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 83  号： 8  ページ： 1632-1634  発行年： 2003年08月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノインプリントリソグラフィーによって4インチウエハの全面に...

シソーラス用語： *リソグラフィー ,...
準シソーラス用語： ナノインプリント ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノインプリント ,  ウエハ ,  トランジスタ ,  作製