文献

J-GLOBAL ID：200902290428931211   整理番号：04A0151044

Ru超薄膜に関する低温化学蒸着およびスケーリング限度

Low-temperature chemical vapor deposition and scaling limit of ultrathin Ru films

著者 (5件)： WANG Q (Univ. Texas Austin, Texas) ,  EKERDT J G (Univ. Texas Austin, Texas) ,  GAY D (Univ. Texas Austin, Texas) ,  SUN Y-M (Univ. Texas Austin, Texas) ,  WHITE J M (Univ. Texas Austin, Texas)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 84  号： 8  ページ： 1380-1382  発行年： 2004年02月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cuとの接触の改善を目標とする研究の一環として,Ru薄膜の調...

シソーラス用語： *ルテニウム ,...
準シソーラス用語： シリカ

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0151044&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ru ,  超薄膜 ,  低温 ,  化学蒸着 ,  スケーリング ,  限度