文献

J-GLOBAL ID：200902290722307658   整理番号：06A0059101

六方晶炭化けい素系バイポーラ素子の劣化

Degradation of hexagonal silicon-carbide-based bipolar devices

著者 (2件)： SKOWRONSKI M. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Carnegie Mellon Univ., Pittsburgh, Pennsylvania 15213) ,  HA S. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Carnegie Mellon Univ., Pittsburgh, Pennsylvania 15213)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 99  号： 1  ページ： 011101-011101-24  発行年： 2006年01月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化けい素(SiC)高電圧p-i-nダイオードの劣化が,Si...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： パワー・エレクトロニクス

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=06A0059101&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (3件)： 六方晶 ,  炭化けい素系 ,  バイポーラ