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J-GLOBAL ID：200902290934195884   整理番号：07A1208330

ヘキサデカン中における高電場走査プローブリソグラフィー: 表面修飾による電場誘起酸化から溶媒分解への転移

High-Field Scanning Probe Lithography in Hexadecane: Transitioning from Field Induced Oxidation to Solvent Decomposition through Surface Modification

著者 (11件)： SUEZ Itai (Univ. California, CA, USA) ,  ROLANDI Marco (Univ. California, CA, USA) ,  ROLANDI Marco (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  BACKER Scott A (Univ. California, CA, USA) ,  SCHOLL Andreas (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  DORAN Andrew (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  OKAWA David (Univ. California, CA, USA) ,  ZETTI Alex (Univ. California, CA, USA) ,  ZETTI Alex (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  FRECHET Jean M J (Univ. California, CA, USA) ,  FRECHET Jean M J (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 19  号： 21  ページ： 3570-3573  発行年： 2007年11月05日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機溶媒ヘキサデカン中でのシリコン基板のAFM高電場走査プロ...

シソーラス用語： *リソグラフィー ,...
準シソーラス用語： 陽極酸化 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： ヘキサデカン ,  高電場 ,  走査プローブリソグラフィー ,  表面修飾 ,  電場 ,  誘起 ,  酸化 ,  溶媒 ,  分解