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J-GLOBAL ID：200902290965985328   整理番号：09A0347496

アスペクト比トラッピングを用いたSi_0.2Ge_0.8構造上への低欠陥,圧縮歪みGeの作製

Fabrication of Low-Defectivity, Compressively Strained Ge on Si_0.2Ge_0.8 Structures Using Aspect Ratio Trapping

著者 (7件)： PARK J.-S. (AmberWave Systems Corp., New Hampshire, USA) ,  CURTIN M. (AmberWave Systems Corp., New Hampshire, USA) ,  HYDRICK J. M. (AmberWave Systems Corp., New Hampshire, USA) ,  BAI J. (AmberWave Systems Corp., New Hampshire, USA) ,  CARROLL M. (AmberWave Systems Corp., New Hampshire, USA) ,  FIORENZA J. G. (AmberWave Systems Corp., New Hampshire, USA) ,  LOCHTEFELD A. (AmberWave Systems Corp., New Hampshire, USA)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 156  号： 4  ページ： H249-H254  発行年： 2009年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上のSiO₂トレンチ内に埋め込んだSi_0.2Ge_0.8構造の上に貫通転位密度の低い圧縮歪みGe層を成長させた。そのフローは次の通りである。1)幅0.2μm,深さ490nmのSiO₂トレンチ内にSi_0.2Ge_0.8を選択成長させる,2)化学的機械的研磨により平坦化する,3)水素中で810°Cでベークして,Si_0.2Ge_0.8構造表面の酸素汚染と構造中の残留歪みを除去する,4)Si_0.2Ge_0.8構造の上に42nm厚のGe層をエピタキシャル成長させる。このGe層はトレンチ方向の[1-10]軸とそれに垂直な方向に沿ってそれぞれ1%と0.45%の圧縮歪みをもつ。このような構造は将来のCMOSデバイスの歪みGeチャネルに適している。

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *ヘテロエピタクシー ,  選択成長 ,  ケイ素 ,  固溶体 ,  *溝 ,  二酸化ケイ素 ,  歪 ,  超小形回路技術 ,  素子構造 ,  アスペクト比 ,  化学機械研磨
準シソーラス用語： CMP研磨 ,  圧縮歪

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (6件)： アスペクト比 ,  トラッピング ,  欠陥 ,  圧縮歪み ,  Ge ,  作製