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J-GLOBAL ID：200902291327221279   整理番号：09A0802799

強重力場下でのInSb半導体中の不純物原子の堆積

Sedimentation of impurity atoms in InSb semiconductor under a strong gravitational field

著者 (5件)： IGUCHI Yusuke (Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN) ,  ONO Masao (Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki, JPN) ,  OKAYASU Satoru (Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki, JPN) ,  MASHIMO Tsutomu (Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN) ,  MASHIMO Tsutomu (Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki, JPN)
資料名： Defect and Diffusion Forum  (Defect and Diffusion Forum)
巻： 289/292  ページ： 319-322  発行年： 2009年 
JST資料番号： D0958B  ISSN： 1012-0386  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： 強重力場 ,  InSb ,  不純物原子 ,  堆積