シリコン基板上への異種光学材料成長による光デバイス

文献

J-GLOBAL ID：200902291376421089 整理番号：07A0934366

Photonic Non-Allied Heterostructure Devices Epitaxially Grown on Si

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資料名：
巻： 35 号： 9 ページ： 577-585 発行年： 2007年09月15日
JST資料番号： X0335A ISSN： 0387-0200 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：解説発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

Si系材料の改変に基づくバンド構造変換により発光に適した材料...

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半導体レーザ , 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

引用文献 (51件)：

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