研究者
J-GLOBAL ID:201201088353400396   更新日: 2022年09月27日

深津 晋

フカツ ススム | Fukatsu Susumu
所属機関・部署:
職名: 教授
ホームページURL (1件): http://kaken.nii.ac.jp/ja/r/60199164
研究分野 (7件): 結晶工学 ,  応用物性 ,  電気電子材料工学 ,  光工学、光量子科学 ,  外科学一般、小児外科学 ,  生体材料学 ,  生体医工学
研究キーワード (30件): Si ,  SiGe ,  高配向性 ,  ヘテロ構造 ,  ナローギャップSiGe混晶量子井戸 ,  間接遷移型半導体 ,  遠赤外光発生 ,  結晶欠陥 ,  発光寿命短縮 ,  室温可視光発光 ,  シリコンの発光機構 ,  ダイナミックな励起子局在 ,  誘導放出光発生 ,  フォノン介在遷移抑制 ,  電流注入モード ,  仮想遷移 ,  過渡応答 ,  不均一幅 ,  高移動度トランジスタ(HEMT) ,  0次元閉じ込め ,  光伝導 ,  SiO_2-波長共振器 ,  直接遷移化 ,  2準位系 ,  高起電力化 ,  光共振器 ,  SiGeOI基板分離構造 ,  遠赤外光 ,  エピ性Si ,  量子検出器
MISC (17件):
経歴 (1件):
  • 2011 - 東京大学 大学院・総合文化研究科 教授
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