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J-GLOBAL ID：200902291926187461   整理番号：09A0375623

アモルファスHf_nSi_1-nO_x薄膜における伝導率スケーリング挙動

著者 (3件)： 青木芳尚 (北大 大学院) ,  幅崎浩樹 (北大 大学院) ,  国武豊喜 (理研 フロンティア研究システム)
資料名： 電気化学会大会講演要旨集
巻： 76th  ページ： 298  発行年： 2009年03月29日 
JST資料番号： Y0048A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ酸塩 ,  *ハフニウム化合物 ,  非晶質 ,  *固体電解質 ,  固体電解質燃料電池 ,  イオン伝導 ,  *電気伝導率 ,  超薄膜 ,  酸化膜 ,  スピンコーティング ,  加水分解 ,  焼成 ,  電気化学インピーダンス ,  *プロトン伝導 ,  Arrheniusの式 ,  温度依存性 ,  膜厚 ,  スケール則 ,  スケーリング【計数】 ,  交流インピーダンス法 ,  膜厚依存性 ,  TGO【酸化物】 ,  化成皮膜
準シソーラス用語： アモルファス ,  スケーリング則 ,  熱成長酸化膜

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (5件)： アモルファス ,  薄膜 ,  伝導率 ,  スケーリング ,  挙動