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J-GLOBAL ID：200902291995590081   整理番号：06A0805713

ふっ素によるHfO₂ゲート酸化物の欠陥パッシベーション

Defect passivation in HfO2 gate oxide by fluorine

著者 (2件)： TSE K. (Engineering Dep., Cambridge Univ., Cambridge CB2 1PZ, GBR) ,  ROBERTSON J. (Engineering Dep., Cambridge Univ., Cambridge CB2 1PZ, GBR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 89  号： 14  ページ： 142914-142914-3  発行年： 2006年10月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 計算により酸素のふっ素置換でHfO₂に...

シソーラス用語： MOSFET ,...
準シソーラス用語： パッシベーション

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分類 (3件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B)

タイトルに関連する用語 (5件)： ふっ素 ,  HfO2 ,  ゲート酸化物 ,  欠陥 ,  パッシベーション