文献

J-GLOBAL ID：200902292068741613   整理番号：07A0770974

60mV/dec以下のサブしきい値変動(SS)を備えたトンネル電界効果トランジスタ(TFET)

Tunneling Field-Effect Transistors (TFETs) With Subthreshold Swing (SS) Less Than 60mV/dec

著者 (4件)： CHOI Woo Young (Univ. California, CA, USA) ,  PARK Byung-Gook (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Jong Duk (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LIU Tsu-Jae King (Univ. California, CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 28  号： 8  ページ： 743-745  発行年： 2007年08月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOSFETのスケールダウン進行により,その供給電圧も低下し...

シソーラス用語： *閾値 ,...
準シソーラス用語： オンオフ電流比 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=07A0770974&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0344B") }}

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (5件)： DEC ,  サブしきい値 ,  SS ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  TFET