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J-GLOBAL ID：200902292133116110   整理番号：06A0508974

反応剤供給順序への原子層エピタクシーにより成長させたZnO薄膜の電気特性の依存性

Dependence of the electrical properties of the ZnO thin films grown by atomic layer epitaxy on the reactant feed sequence

著者 (2件)： LEE Chongmu (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Inha Univ., 253 Yonghyeon-dong, Incheon 402-751, KOR) ,  LIM Jongmin (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Inha Univ., 253 Yonghyeon-dong, Incheon 402-751, KOR)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 24  号： 4  ページ： 1031-1035  発行年： 2006年07月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒素ドープp型ZnO膜を,亜鉛前駆体,酸化剤,及びドーピング...

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 反応剤 ,  原子層エピタクシー ,  成長 ,  ZnO薄膜 ,  電気特性 ,  依存性