文献

J-GLOBAL ID：200902292404539097   整理番号：08A1259925

負電荷誘電体Al₂O₃によるc-Si表面不動態化機構

On the c-Si surface passivation mechanism by the negative-charge-dielectric Al₂O₃

著者 (4件)： HOEX B. (Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD) ,  GIELIS J. J. H. (Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD) ,  VAN DE SANDEN M. C. M. (Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD) ,  KESSELS W. M. M. (Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 104  号： 11  ページ： 113703  発行年： 2008年12月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al₂O₃は,結晶ケイ素(c-Si)上の優れた表面不動態化性質をもつ多機能高κ誘電体であり,発光ダイオードや高効率太陽電池などのデバイスにとって極めて重要である。表面不動態化は,満足すべき低界面欠陥密度に関係しており,その下にあるSi基板との界面のAl₂O₃膜中に存在する10¹³cm^-2に達する負の固定電荷密度Q_fによって誘起される強い電界効果不動態と結びついて関係していることを,実験とシミュレーションの両方で実証する。Al₂O₃中のQ_fが負の極性であることは,バルクの小数キャリアがc-Si表面から遮蔽されるので,p型C-Siの不動態化にとって特に有益である。電界効果不動態化のレベルはQ_f²とスケールすることが示されるので,Al₂O₃中の高Q_fは,代わりとなる表面不動態化方式に比べてc-Si上のより高い界面欠陥密度に耐える。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *不動態化 ,  不動態皮膜 ,  *酸化アルミニウム ,  *負電荷 ,  誘電体 ,  界面 ,  欠陥密度 ,  電荷分布 ,  密度 ,  表面
準シソーラス用語： *ケイ素基板 ,  高k誘電体 ,  電荷密度 ,  不動態化膜

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 負電荷 ,  誘電体 ,  Al2O3 ,  Si ,  表面不動態化