文献

J-GLOBAL ID：200902292425455241   整理番号：05A0326422

負ワード線バイアスを有する256MビットDRAMのパッケージング工程中のSi-H結合切断で誘起される保持劣化

Si-H Bond Breaking Induced Retention Degradation During Packaging Process of 256 Mbit DRAMs With Negative Wordline Bias

著者 (7件)： CHANG Minchen (Chung Gung Univ., Tao-Yuan, TWN) ,  LIN Jengping (Chung Gung Univ., Tao-Yuan, TWN) ,  LAI Chao-Sung (Chung Gung Univ., Tao-Yuan, TWN) ,  CHANG Ruey-Dar (Chung Gung Univ., Tao-Yuan, TWN) ,  SHIH Steven N. (Nanya Technol. Corp. Technol., Tao-Yuan, TWN) ,  WANG Mao-Ying (Nanya Technol. Corp. Technol., Tao-Yuan, TWN) ,  LEE Pei-Ing (Nanya Technol. Corp. Technol., Tao-Yuan, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 52  号： 4  ページ： 484-491  発行年： 2005年04月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 256MbitDRAMのパッケージング工程におけるデータ保持...

シソーラス用語： *DRAM ,...
準シソーラス用語： トラップ【固体】 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0326422&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0222A") }}

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： ワード線 ,  バイアス ,  ビット ,  DRAM ,  パッケージング工程 ,  Si-H結合 ,  誘起