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J-GLOBAL ID：200902292441930340   整理番号：05A0252152

プラズマベースイオン注入堆積法によるトレンチターゲットに対するイオン電流分布とTiN堆積

TiN deposition and ion current distribution for trench target by plasma-based ion implantation and deposition

著者 (3件)： YUKIMURA K (Doshisha Univ., Kyoto, JPN) ,  MA X (Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN) ,  IKEHATA T (Ibaraki Univ., Ibaraki, JPN)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 193  号： 1/3  ページ： 17-21  発行年： 2005年04月01日 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマベースイオン注入(PBII&D)法によりTiN薄膜を...

シソーラス用語： *イオン注入 ,...

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分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (8件)： プラズマ ,  イオン注入 ,  堆積 ,  トレンチ ,  ターゲット ,  イオン ,  電流分布 ,  TiN