単一ソースRFプラズマCVD法におけるa-SiC:H膜の生成機構

文献

J-GLOBAL ID：200902292557546912 整理番号：05A0289823

Growth mechanism of a-SiC: H films in single-source plasma enhanced CVD

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資料名：
巻： 2005/22nd ページ： 185-186 発行年： 2005年
JST資料番号： L4449A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

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半導体薄膜

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