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J-GLOBAL ID：200902292707660743   整理番号：08A0485607

STM/STSによるグラフェン端の電子状態の観測

STM/STS Observations of Graphene Edges

著者 (3件)： 榎敏明 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  小林陽介 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  福井賢一 (東京工大 大学院理工学研究科)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 29  号： 5  ページ： 304-309  発行年： 2008年05月10日 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ナノグラフェンの電子構造は端部の形状(ジグザグ形及び安楽椅子形)に依存し,ジグザグ形の端部を持つグラフェンには端部に局在化した非結合π電子が存在することが理論的に予測される。走査トンネル顕微鏡/走査トンネル分光法(STM/STS)を用いて高真空下で水素終端させたナノグラフェン端部を観察し,前記の理論的予測に整合する結果を得た。ナノグラフェンが示す特異な磁気的挙動と端部の電子状態との関係を考察した。

シソーラス用語： *グラファイト ,  *電子構造 ,  π電子 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  スペクトロスコピー ,  磁気的性質 ,  ナノ構造 ,  グラフェン ,  水素終端 ,  走査トンネル電子分光法
準シソーラス用語： 走査型トンネル分光法 ,  ナノ構造体

分類 (2件)： 電子構造一般  (BM02010K) ,  分子構造と性質の実験的研究  (CB01020I)

引用文献 (42件)：

• 1) K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S.V. Dubonos, I.V. Grigorieva and A.A. Firsov: Science 306, 666 (2004).
• 2) Y. Zheng and T. Ando: Phys. Rev. B 65, 245420 (2002).
• 3) K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, M.I. Katsnelson, I.V. Grigorieva, S.V. Dubonos and A.A. Firsov: Nature 438, 197 (2005).
• 4) Y. Zhang, Y-W. Tan, H.L. Stormer and P. Kim: Nature 438, 201 (2005).
• 5) C.L. Kane and E.J. Mele: Phys. Rev. Lett. 95, 226801 (2005).

タイトルに関連する用語 (5件)： STM ,  STS ,  グラフェン ,  電子状態 ,  観測