文献

J-GLOBAL ID：200902292885756916   整理番号：09A0994953

(100),(411)A GaAs基板上にMBE成長したAlGaAs/GaAs/GaAsBi-QWのAFM観察

著者 (3件)： 山口大輔 (愛大 院) ,  石川智貴 (愛大 院) ,  下村哲 (愛大 院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 1  ページ： 298  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,  基板 ,  *MBE成長 ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *ヒ化物 ,  *ビスマス化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *量子井戸 ,  原子間力顕微鏡 ,  化合物半導体 ,  表面構造 ,  構造

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs基板 ,  MBE成長 ,  AlGaAs ,  GaAs ,  GaAsBi ,  AFM観察