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J-GLOBAL ID：200902293124398966   整理番号：09A0345007

鉄の少数原子層における電圧誘起磁気異方性の大きい変化

Large voltage-induced magnetic anisotropy change in a few atomic layers of iron

著者 (12件)： MARUYAMA T. (Osaka Univ., Toyonaka, JPN) ,  SHIOTA Y. (Osaka Univ., Toyonaka, JPN) ,  NOZAKI T. (Osaka Univ., Toyonaka, JPN) ,  OHTA K. (Osaka Univ., Toyonaka, JPN) ,  TODA N. (Osaka Univ., Toyonaka, JPN) ,  MIZUGUCHI M. (Osaka Univ., Toyonaka, JPN) ,  TULAPURKAR A. A. (Osaka Univ., Toyonaka, JPN) ,  SHINJO T. (Osaka Univ., Toyonaka, JPN) ,  SHIRAISHI M. (Osaka Univ., Toyonaka, JPN) ,  MIZUKAMI S. (Tohoku Univ., Sendai, Japa) ,  ANDO Y. (Tohoku Univ., Sendai, Japa) ,  SUZUKI Y. (Osaka Univ., Toyonaka, JPN)
資料名： Nature Nanotechnology  (Nature Nanotechnology)
巻： 4  号： 3  ページ： 158-161  発行年： 2009年03月 
JST資料番号： W2059A  ISSN： 1748-3387  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強磁性体の電圧誘起磁気異方性による磁化の操作を超低消費電力の記憶素子に利用するにはエネルギー効率の大幅な減少が必要である。ここでは,bcc Fe(001)/MgO(001)接合を使用して,比較的小さい電場(100mV/nm)であっても,その磁気異方性が約40%の大きな変化を示すことを実証した。この効果はMgO障壁に隣接するFe原子の3d軌道の占有率の変化から生じると考えられる。このことを磁気トンネル接合の電圧制御による磁化スイッチングのモデルを用いたシミュレーションで検証し,低消費電力論理素子と非揮発性記憶素子への応用可能性を議論した。

シソーラス用語： *強磁性体 ,  *鉄 ,  *トンネル接合 ,  磁気抵抗効果 ,  *磁気異方性 ,  *電場効果 ,  磁化特性 ,  消費電力 ,  エネルギー効率 ,  酸化マグネシウム ,  電圧制御 ,  スイッチング ,  計算機シミュレーション ,  論理素子 ,  非揮発性 ,  記憶素子
準シソーラス用語： *磁気トンネル接合

分類 (1件)： 金属の磁気異方性・磁気機械効果  (BM06102S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 鉄 ,  原子層 ,  電圧誘起 ,  磁気異方性