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J-GLOBAL ID：200902293124444925   整理番号：07A1213127

マルチチップLSI(MCL)用の新しい低温CoC相互接続技術

Novel Low-Temperature CoC Interconnection Technology for Multichip LSI (MCL)

著者 (6件)： WAKIYAMA Satoru (Sony Corp. Semiconductor Business Group, Kanagawa, JPN) ,  OZAKI Hiroshi (Sony Corp. Semiconductor Business Group, Kanagawa, JPN) ,  NABE Yoshihiro (Sony Corp. Semiconductor Business Group, Kanagawa, JPN) ,  KUME Tomomi (Sony Corp. Semiconductor Business Group, Kanagawa, JPN) ,  EZAKI Takayuki (Sony Corp. Semiconductor Business Group, Kanagawa, JPN) ,  OGAWA Tohru (Sony Corp. Semiconductor Business Group, Kanagawa, JPN)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 57th Vol.2  ページ： 610-615  発行年： 2007年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい低温チップオンチップ(CoC)技術を開発した。上下のチップには直径30μmピッチ60μmのマイクロバンプが1402個含まれている。マイクロバンプはCu/Tiスパッター膜の上にNiを電気めっきし,その上にインジウムバンプを電気めっきで形成したものである。プロセスを通して温度を180°C以下に制御し,フリップチップボンディングではフラックスを使用していない。インジウムマイクロバンプの4端子抵抗は約7mΩであり,デイジーチェインTEGの歩留まりは高かった。ボンディングプロセスに続くアニーリングプロセスが十分なボンディング性を確保する為に不可欠であり,それはIn-Niの金属間化合物の成長を促す為である。

シソーラス用語： *マルチチップ実装 ,  LSI【IC】 ,  相互接続 ,  *低温 ,  *ボンディング【IC】 ,  フリップチップ法 ,  バンプ ,  インジウム ,  電気めっき ,  金属間化合物 ,  スパッタ蒸着 ,  アニーリング【現象】

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： マルチ ,  LSI ,  MCL ,  低温 ,  COC ,  相互接続