文献

J-GLOBAL ID：200902293204335680   整理番号：08A0773505

空気中のプロトン-ポンピングゲートFET水素ガスセンサーの応答機構の解析

Analysis of response mechanism of a proton-pumping gate FET hydrogen gas sensor in air

著者 (5件)： YAMAGUCHI T. (Graduate School of Natural Sci. and Technol., Okayama Univ., 3-1-1, Tsushima-naka, Okayama, 700-8530, JPN) ,  TAKISAWA M. (Graduate School of Natural Sci. and Technol., Okayama Univ., 3-1-1, Tsushima-naka, Okayama, 700-8530, JPN) ,  KIWA T. (Graduate School of Natural Sci. and Technol., Okayama Univ., 3-1-1, Tsushima-naka, Okayama, 700-8530, JPN) ,  YAMADA H. (Graduate School of Natural Sci. and Technol., Okayama Univ., 3-1-1, Tsushima-naka, Okayama, 700-8530, JPN) ,  TSUKADA K. (Graduate School of Natural Sci. and Technol., Okayama Univ., 3-1-1, Tsushima-naka, Okayama, 700-8530, JPN)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 133  号： 2  ページ： 538-542  発行年： 2008年08月12日 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三重層のゲート構造をもつプロトン-ポンピングゲート電界効果トランジスター(FET)では,2つの異なる型の水素応答信号(DCとAC)が現れる。プロトン-ポンピングゲートFETは他のガス(CH₄,C₂H₆,NH₃およびO₂)に対して優れた選択性を示した。実用化するために,実際に使用する空気(酸素と窒素の混合物)中のプロトン-ポンピングゲートFETの水素応答特性を調べた。窒素中のプロトン-ポンピングゲートFETは空気中と同様に酸素の干渉がなくても異なる水素応答特性を示した。これらの応答特性を分類するために,ガスフロー系と電気化学インピーダンス分光法によって水素応答測定を行った。その結果,窒素と空気の応答の違いは水素解離反応と上位のPdゲート電極に吸着している酸素によって生じるプロトン移動の妨害によるものであることがわかった。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *パラジウム ,  *フッ素樹脂 ,  *陽イオン交換樹脂 ,  *白金 ,  積層構造 ,  *ゲート【半導体】 ,  プロトンポンプ ,  *FET【トランジスタ】 ,  *水素 ,  *ガスセンサ ,  電流電圧特性 ,  アンモニア ,  酸素 ,  選択性 ,  *電気化学インピーダンス ,  インピーダンススペクトル ,  解離 ,  プロトン移動 ,  アルカン ,  能動輸送 ,  イオン輸送 ,  輸送 ,  生体輸送 ,  膜貫通タンパク質 ,  生体内イオン輸送
準シソーラス用語： *Nafion

分類 (3件)： 分析機器  (CC02020S) ,  その他の接合  (BM03088W) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (2件)： メタン ,  エタン

タイトルに関連する用語 (9件)： 空気中 ,  プロトン ,  ポンピング ,  ゲート ,  FET ,  水素ガス ,  センサー ,  応答 ,  解析