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J-GLOBAL ID：200902293252620248   整理番号：05A0572033

電界効果トランジスタ用の位置規則性ポリ(3-ヘキシルチオフェン)含有Langmuir-Blodgett重合体薄膜の作製

Fabrication of Polymer Langmuir-Blodgett Films Containing Regioregular Poly(3-hexylthiophene) for Application to Field-Effect Transistor

著者 (5件)： MATSUI Jun (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YOSHIDA Shinsuke (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MIKAYAMA Takeshi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  AOKI Atsushi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MIYASHITA Tokuji (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Langmuir  (Langmuir)
巻： 21  号： 12  ページ： 5343-5348  発行年： 2005年06月07日 
JST資料番号： A0231B  ISSN： 0743-7463  CODEN： LANGD5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： LB法を使ってポリ(3-ヘキシルチオフェン)(Ia)とポリ(...

シソーラス用語： *高分子薄膜 ,...
準シソーラス用語： *LB膜 ,...

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分類 (2件)： 液-気界面  (CB12020U) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

物質索引 (3件)： 3-ヘキシルチオフェン ,  N-ドデシルアクリルアミド ,  アセトニトリル

タイトルに関連する用語 (5件)： 電界効果トランジスタ ,  位置規則性 ,  3-ヘキシルチオフェン ,  重合体薄膜 ,  作製