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J-GLOBAL ID：200902293267223423   整理番号：05A1023657

SiC単結晶膜中欠陥の高分解能非破壊観察法の開発

Development of high-resolution and non-destructive observation techniques on SiC epilayers

著者 (4件)： 鎌田功穂 (電力中研 材料科研) ,  土田秀一 (電力中研 材料科研) ,  三柳俊之 (電力中研 材料科研) ,  中村智宣 (電力中研 材料科研)
資料名： 電力中央研究所材料科学研究所研究報告  (CRIEPI Report. Q (Central Research Institute of Electric Power Industry))
号： Q04023  ページ： 23P  発行年： 2005年09月 
JST資料番号： L5635A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 背景:SiC単結晶は,高い絶縁破壊電界強度など優れた材料物性...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 基底面 ,...

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分類 (2件)： その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B) ,  セラミック材料試験  (HB04000M)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  単結晶膜 ,  欠陥 ,  高分解能 ,  観察 ,  開発