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J-GLOBAL ID：200902293321790592   整理番号：03A0737450

スクリーン印刷によるシリコン基板上へのBa(Ti,Zr)O₃厚膜の作製

Preparation of Ba(Ti,Zr)O₃ Thick Films on Silicon Substrate by Screen Printing

著者 (4件)： FUTAKUCHI T (Toyama Industrial Technol. Center, Toyama, JPN) ,  SAKAI Y (Toyama Industrial Technol. Center, Toyama, JPN) ,  FUJITA N (Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN) ,  ADACHI M (Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42  号： 9B  ページ： 5904-5907  発行年： 2003年09月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱酸化Si基板上にPt下部電極を介して標記のペーストを塗布し...

シソーラス用語： *強誘電体 ,...
準シソーラス用語： 電気ひずみ ,...

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分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (12件)：

• 1) S. Wada, S. Suzuki, T. Noma, T. Suzuki, M. Osada, M. Kakihana, S.-E. Park, L. E. Cross and T. R. Shrout: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 5505.
• 2) S.-E. Park, S. Wada , L. E. Cross and T. R. Shrout: J. Appl. Phys. 86 (1999) 2746.
• 3) T. Ogawa: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 5630.
• 4) P. W. Rehrig, S.-E. Park, S. T.-Mckinstry, G. L. Messing, B. Jones and T. R. Shrout: J. Appl. Phys. 86 (1999) 1657.
• 5) J. Thongrueng, T. Tsuchiya, Y. Masuda, S. Fujita and K. Nagata: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 5309.

タイトルに関連する用語 (8件)： スクリーン印刷 ,  シリコン基板 ,  Ba ,  Ti ,  Zr ,  O3 ,  厚膜 ,  作製