RFIC用の表面不動態化高抵抗シリコン基板

RONG B; BURGHARTZ J N; NANVER L K; REJAEI B; VAN DER ZWAN M

文献

J-GLOBAL ID：200902293535594405 整理番号：04A0305956

RFIC用の表面不動態化高抵抗シリコン基板

Surface-Passivated High-Resistivity Silicon Substrates for RFICs

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資料名：
巻： 25 号： 4 ページ： 176-178 発行年： 2004年04月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

プラズマCVDにより非晶質シリコン層を形成した標題のシリコン...

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固体デバイス材料

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