強誘電性ゲート誘電体を持つナノワイヤトランジスタ  増強された性能および記憶効果

LEI B; LI C; ZHANG D; ZHOU Q F; SHUNG K K; ZHOU C

文献

J-GLOBAL ID：200902293949335347 整理番号：04A0441250

強誘電性ゲート誘電体を持つナノワイヤトランジスタ増強された性能および記憶効果

Nanowire transistors with ferroelectric gate dielectrics: Enhanced performance and memory effects

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資料名：
巻： 84 号： 22 ページ： 4553-4555 発行年： 2004年05月31日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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トランジスタ , 酸化物薄膜 , 強誘電体,反強誘電体,強弾性

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強誘電性ゲート誘電体を持つナノワイヤトランジスタ 増強された性能および記憶効果

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