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J-GLOBAL ID：200902294059183775   整理番号：04A0343823

低温STMによるSi(111)7×7初期酸化表面の局所状態密度像

著者 (3件)： 新保隆光 (室蘭工大) ,  堀口順弘 (室蘭工大) ,  宮尾正大 (室蘭工大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 51st  号： 2  ページ： 726  発行年： 2004年03月28日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *走査型トンネル顕微鏡 ,...

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分類 (3件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  表面の電子構造  (BM02080J) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低温 ,  STM ,  Si ,  初期 ,  酸化 ,  局所状態密度