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J-GLOBAL ID:200902294560430243   整理番号:09A0713510

半導体光電陰極を用いた高輝度スピン分極電子源

High-Brightness Spin-Polarized Electron Source Using Semiconductor Photocathodes
著者 (6件):
資料名:
巻: 48  号: 6,Issue 2  ページ: 06FF02.1-06FF02.3  発行年: 2009年06月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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長時間負電子親和性(NEA)寿命を実現するために低電子親和性を持つAlGaAs光電陰極を開発した。AlGaAs光電陰極は従来のNEA-GaAsよりも10倍長いNEA寿命を達成した。理論的なエネルギーバンド計算により,低伝導,最小バンド幅,伝導帯における高状態密度を持ち,かつ,重い正孔と軽い正孔バンド間の分離エネルギーが高くなる適切な超格子構造を推定した。AlGaAs-GaAs超格子半導体が適切なNEA-GaAs光電陰極であると結論した。これは,許容しうるNEA寿命を持つだけでなく,小さな光電子エネルギー分散,高い量子収量,高いスピン分極電子割合という要求も満たす。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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電子源,イオン源  ,  光電子放出 
引用文献 (13件):
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タイトルに関連する用語 (4件):
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