半導体光電陰極を用いた高輝度スピン分極電子源

NISHITANI Tomohiro; TABUCHI Masao; TAKEDA Yoshikazu; SUZUKI Yuji; MOTOKI Kazuya; MEGURO Takashi

文献

J-GLOBAL ID：200902294560430243 整理番号：09A0713510

半導体光電陰極を用いた高輝度スピン分極電子源

High-Brightness Spin-Polarized Electron Source Using Semiconductor Photocathodes

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著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 48 号： 6,Issue 2 ページ： 06FF02.1-06FF02.3 発行年： 2009年06月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

長時間負電子親和性(NEA)寿命を実現するために低電子親和性を持つAlGaAs光電陰極を開発した。AlGaAs光電陰極は従来のNEA-GaAsよりも10倍長いNEA寿命を達成した。理論的なエネルギーバンド計算により,低伝導,最小バンド幅,伝導帯における高状態密度を持ち,かつ,重い正孔と軽い正孔バンド間の分離エネルギーが高くなる適切な超格子構造を推定した。AlGaAs-GaAs超格子半導体が適切なNEA-GaAs光電陰極であると結論した。これは,許容しうるNEA寿命を持つだけでなく,小さな光電子エネルギー分散,高い量子収量,高いスピン分極電子割合という要求も満たす。(翻訳著者抄録)

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電子源,イオン源 , 光電子放出

引用文献 (13件)：

T. Omori, Y. Kurihara, T. Nakanishi, H. Aoyagi, T. Baba, T. Furuya. K. Itoga, M. Mizuta, S. Nakamura, Y. Takeuchi, M. Tsubata, and M. Yoshioka: Phys. Rev. Lett.67(1991)3294.
Y. Kurihara, T. Omori, T. Nakanishi, H. Aoyagi, T. Baba, K. Itoga, M. Mizuta, S. Nakamura, Y. Takeuchi, M. Tsubata, and M. Yoshioka: Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A 313(1992)393.
Y. Kurihara, T. Omori, Y. Takeuchi, M. Yoshioka, T. Nakanishi, S. Okumi, M. Tawada, K. Togawa, M. Tsubata, T. Baba, M. Mizuta, R. K. Alley, H. Aoyagi, J. E. Clendenin, J. C. Frisch, G. A. Mulhollan, P. J. Sáez, D. C. Schultz, H. Tang, and K. H. Witte: Jpn. J. Appl. Phys.34(1995)355.
SLD Collaboration: Phys. Rev. Lett.74(1995)2880.
T. Siggins, C. Sinclair, C. Bohn, D. Bullard, D. Douglas, A. Grippo, J. Gubeli, G. A. Krafft, and B. Yunn: Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A 475(2001)549.

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